RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
65
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.5
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
51
读取速度,GB/s
4,806.8
10.5
写入速度,GB/s
2,784.6
5.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
1941
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link