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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
65
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
64
读取速度,GB/s
4,806.8
16.1
写入速度,GB/s
2,784.6
8.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2037
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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