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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
65
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
44
读取速度,GB/s
4,806.8
14.2
写入速度,GB/s
2,784.6
10.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2425
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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