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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
4,806.8
17.6
写入速度,GB/s
2,784.6
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3158
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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