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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

总分
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

总分
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Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,784.6 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB 需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 65
    左右 -81% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    4,806.8 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    2,784.6 left arrow 12.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    932 left arrow 2835

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
内存RAM
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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内存RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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