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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
65
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
46
读取速度,GB/s
4,806.8
15.9
写入速度,GB/s
2,784.6
9.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2632
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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