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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Panram International Corporation M424016 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation M424016 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
4,806.8
12.6
写入速度,GB/s
2,784.6
9.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2035
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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