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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
2,451.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
65
65
读取速度,GB/s
4,806.8
4,605.9
写入速度,GB/s
2,784.6
2,451.8
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
878
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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