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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
65
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
38
读取速度,GB/s
4,806.8
13.8
写入速度,GB/s
2,784.6
9.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2404
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
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