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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
4,806.8
15.1
写入速度,GB/s
2,784.6
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2620
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
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