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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
65
左右 -86% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
35
读取速度,GB/s
4,806.8
16.0
写入速度,GB/s
2,784.6
11.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2824
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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