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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
52
左右 -174% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.6
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
19
读取速度,GB/s
4,672.4
20.9
写入速度,GB/s
1,906.4
17.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
3689
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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