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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
31
读取速度,GB/s
15.4
16.9
写入速度,GB/s
11.5
11.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2763
3132
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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