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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
17.6
15.0
写入速度,GB/s
12.0
12.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2600
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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