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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.6
17.5
写入速度,GB/s
12.0
13.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3193
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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