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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
17.6
15.9
写入速度,GB/s
12.0
12.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3023
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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