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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
17.6
19.8
写入速度,GB/s
12.0
15.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3875
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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