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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
18.6
写入速度,GB/s
12.0
13.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3220
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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