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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
17.6
16.2
写入速度,GB/s
12.0
12.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2991
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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