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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.6
15.7
写入速度,GB/s
12.0
11.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2491
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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