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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
17.6
15.0
写入速度,GB/s
12.0
11.3
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2653
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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