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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
23400
左右 1.09% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
17.2
写入速度,GB/s
12.0
15.1
内存带宽,mbps
25600
23400
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3428
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
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