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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.6
16.3
写入速度,GB/s
12.0
11.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2911
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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