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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
33
读取速度,GB/s
17.6
17.1
写入速度,GB/s
12.0
13.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3312
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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