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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
40
读取速度,GB/s
17.6
13.6
写入速度,GB/s
12.0
12.4
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3011
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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