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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
33
读取速度,GB/s
17.6
17.8
写入速度,GB/s
12.0
13.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3539
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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