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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
14.9
写入速度,GB/s
12.0
14.2
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3332
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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