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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
41
读取速度,GB/s
17.6
16.1
写入速度,GB/s
12.0
13.2
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2870
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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