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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
33
读取速度,GB/s
17.6
15.0
写入速度,GB/s
12.0
10.4
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2827
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
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