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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
17.6
16.6
写入速度,GB/s
12.0
14.3
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3282
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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