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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.6
16.7
写入速度,GB/s
12.0
11.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2661
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
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