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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
18.2
写入速度,GB/s
12.0
12.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3083
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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