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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
48
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
48
读取速度,GB/s
17.6
16.8
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2852
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
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