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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
33
读取速度,GB/s
17.6
16.2
写入速度,GB/s
12.0
11.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3048
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
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