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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
16.3
写入速度,GB/s
12.0
11.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2918
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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