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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.6
17.2
写入速度,GB/s
12.0
13.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3401
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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