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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.6
20.6
写入速度,GB/s
12.0
20.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
4029
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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