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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905622-058.A00G 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
15.5
写入速度,GB/s
12.0
10.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2801
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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