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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905630-066.A00G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
16.9
写入速度,GB/s
12.0
12.4
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3152
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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