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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905700-011.A00G 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
15.2
写入速度,GB/s
12.0
10.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2538
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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