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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
56
读取速度,GB/s
17.6
17.9
写入速度,GB/s
12.0
9.4
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2071
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
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