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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
13.0
写入速度,GB/s
12.0
9.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2187
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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