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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.6
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
21.6
写入速度,GB/s
12.0
15.0
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3581
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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