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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
33
读取速度,GB/s
17.6
16.9
写入速度,GB/s
12.0
13.5
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3141
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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