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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
47
读取速度,GB/s
17.6
11.1
写入速度,GB/s
12.0
7.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1967
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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