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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
20
读取速度,GB/s
17.6
18.9
写入速度,GB/s
12.0
15.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3230
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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