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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
16.9
写入速度,GB/s
12.0
13.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3222
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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