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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
45
读取速度,GB/s
17.6
11.6
写入速度,GB/s
12.0
8.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2036
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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