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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
17.6
10.8
写入速度,GB/s
12.0
8.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2416
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
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