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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
39
读取速度,GB/s
17.6
14.3
写入速度,GB/s
12.0
10.8
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2159
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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